26.07.2024 12:04
Фестиваль актуального научного кино «ФАНК» стартовал на «Роза Хутор»
Гостей ждут открытые показы лучших отечественных и зарубежных фильмов о последних достижениях исследовательской мысли.
Фестиваль актуального научного кино «ФАНК» стартовал на «Роза Хутор» Гостей ждут открытые показы лучших отечественных
В России запретят рекламу в соцсетях, признанных экстремистскими Депутаты Госдумы приняли в первом чтении законопро
Фестиваль «Роза Хутор. Классика» С 12 по 18 августа горный курорт «Роза Хутор» вн
Аспирантка ИрГТУ Алина Журавлёва выиграла конкурс на получение стипендии Президента РФ
НИА-Федерация
Аспирантка ИрГТУ Алина Журавлёва вошла в число победителей конкурса на получение стипендии Президента РФ для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики в 2015-2017 гг. Тема научной работы А. Журавлёвой посвящена синтезу и исследованию своиств тонких пленок на основе разбавленных магнитных полупроводников и наногетероструктур полупроводник / ферромагнетик, полупроводник / сверхпроводник для создания новых эффективных материалов и устроиств спиновои электроники. Проект входит в направление модернизации «Стратегические информационные технологии, включая вопросы создания суперкомпьютеров и разработки программного обеспечения». Из нескольких тысяч научно-исследовательских проектов, представленных на конкурс, в итоговый список победителей вошло 585, из которых 94 по данному направлению. Аспирантка подчеркнула, что спинтроника — это довольно новое и быстроразвивающееся научное направление, которое строится на базе различных областей знаний и, управляя электромагнитными полями, позволяет получать особые электрические, магнитные и оптическиесвойства материалов. В основу спинтроники заложено понятие спина электрона. Cогласно принципу квантования проекции спина на выбранную ось, электроны можно разделить на два типа носителей тока: электроны со спином вверх и электроны со спином вниз (½ или -½). Управление спином полупроводниковых структур под действием приложенных полей позволит производить более современные транзисторы, вентили, химические сенсоры, УФ датчики, элементы солнечных батарей, а также устройства хранения и записи информации. Экспериментально изученные полупроводниковые структуры могут найти применение в приборостроении, при создании жидкокристаллических дисплеев и квантового компьютера. |