20.05.2024 06:55
Правительство утвердило план мероприятий по празднованию 80-й годовщины Победы в Великой Отечественной войне Правительство России утвердило план подготовки к празднованию 80-й годовщины Победы в Великой Отечественной войне.

20.05.2024 06:55
Правительство утвердило план мероприятий по празднованию 80-й годовщины Победы в Великой Отечественной войне Правительство России утвердило план подготовки к п
17.05.2024 17:22
Николай Доронин: богатство природы - маркер экологического благополучия Создать центр реинтродукции жемчужницы в Пасвике и
17.05.2024 05:58
На выставке «Россия» школьники Москвы познакомились с профессиями металлургов  На выставке «Россия» на ВДНХ, которую уже посетили
erid:2VtzquvL47C
erid: 2Vtzqw8GDo4
18.03.2023 15:21

Российские ученые нашли путь к созданию электроники нового типа

НИА-Федерация

Российские ученые нашли путь к созданию быстродействующей энергоэффективной электроники

Сотрудники Московского физико-технического института (МФТИ), изучавшие свойства широко исследуемого в мире материала - двухслойного графена, нашли путь к возможному созданию электронных приборов нового типа - быстродействующих энергоэффективных переключателей, химических и биологических сенсоров, а также детекторов излучения, которые невозможно было создать на обычных полупроводниках, сообщили РИА Новости в министерстве науки и высшего образования РФ.

Основой всей современной полупроводниковой электроники является так называемый p-n-переход - область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости. Для электронов такой переход является энергетическим барьером. Наличие ступенчатого барьера для электронов в p-n-переходе определяет его главную функцию в электронике: этот переход является односторонним, ток в нем может течь лишь при одной полярности поданного напряжения.

В 1960-е годы обнаружилось, что p-n-переходы могут проводить ток и благодаря эффекту квантового туннелирования - "просачиванию" электронов под энергетическим барьером. Подобным приборам - туннельным диодам - нашлось применение в электронике с низким энергопотреблением.

Другим важным направлением в электронике стало повышение скорости срабатывания электронных приборов. Здесь не обойтись без новых материалов, где электроны на своем пути не встречают препятствий. Одним из таких материалов оказался двухслойный графен - двумерная модификация углерода, образованная двумя близко расположенными слоями графена.

Но механизм протекания тока в p-n-переходах на основе двухслойного графена долгое время оставался непонятым. Ученые из лаборатории оптоэлектроники двумерных материалов Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ смогли ответить на этот вопрос. В своих экспериментах они пришли к выводу о доминирующем квантовом туннельном типе проводимости в этом материале.

"Обнаруженная нами ситуация оказывается очень перспективной для электроники. Во-первых, мы имеем высокую электронную подвижность в графене, что дает возможность создания быстрых полупроводниковых приборов. Во-вторых, мы имеем туннельный характер транспорта, а это дает возможность управлять током при малых напряжениях, то есть энергоэффективность. Подобной комбинации скорости и энергоэффективности было невозможно достичь в электронике на основе "классических" полупроводниковых материалов", - отметил заведующий лабораторией оптоэлектроники двумерных материалов МФТИ Дмитрий Свинцов.

По мнению авторов работы, обнаруженный ими эффект в числе прочего важен для внедрения двухслойного графена в цифровую электронику: туннельный эффект в двухслойном графене позволит "чувствовать" не только излучения, но и следовые количества химических и биологических соединений, то есть выступать в роли чувствительного химического и биологического сенсора.

Работа выполнена при грантовой поддержке Российского научного фонда и Минобрнауки РФ. Результаты исследования опубликованы в ведущем профильном международном научном журнале Nano Letters.



Важнейшие новости регионов за 21.05.2024

Еще новостей за 21.05.2024